Le MOSFET de puissance série 650 VE de Vishay Intertechnology offre les FOM RDS(ON)*Qg et RDS(ON)*Co(er) les plus bas du secteur

Aug 14, 2023

MALVERN, Pennsylvanie, 28 août 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE : VSH) a présenté aujourd'hui un nouveau MOSFET de puissance série 650 VE de quatrième génération qui offre un rendement et une densité de puissance élevés pour les secteurs des télécommunications, de l'industrie, et applications informatiques. Par rapport aux dispositifs de la génération précédente, le SiHP054N65E à canal N de Vishay Siliconix réduit la résistance à l'état passant de 48,2 % tout en offrant une résistance fois inférieure de 59 % par rapport à la charge de grille, un chiffre de mérite (FOM) clé pour les MOSFET 650 V utilisés dans les applications de conversion de puissance.

Vishay propose une large gamme de technologies MOSFET qui prennent en charge toutes les étapes du processus de conversion de puissance, des entrées haute tension aux sorties basse tension nécessaires pour alimenter les derniers équipements de haute technologie. Avec le SiHP054N65E et d'autres dispositifs de la famille 650 VE de quatrième génération, la société répond au besoin d'amélioration de l'efficacité et de la densité de puissance dans deux des premières étapes de l'architecture du système électrique : la correction du facteur de puissance (PFC) et la correction DC/DC ultérieure. Blocs convertisseurs DC. Les applications typiques incluront les serveurs, l'informatique de pointe et le stockage de données ; UPS; lampes à décharge à haute intensité (DHI) et éclairage à ballast fluorescent ; onduleurs solaires; poste à souder; chauffage par induction; entraînements à moteur ; et chargeurs de batterie.

Construit sur la dernière technologie de superjonction économe en énergie de la série E de Vishay, la faible résistance à l'état passant typique du SiHP054N65E de 0,051 Ω à 10 V se traduit par une puissance nominale plus élevée pour les applications > 2 kW et permet à l'appareil de répondre à l'Open Rack V3 du projet Open Compute ( ORV3). De plus, le MOSFET offre une charge de grille ultra faible jusqu'à 72 nC. Le FOM résultant de 3,67 Ω*nC est 1,1 % inférieur à celui du MOSFET concurrent le plus proche dans la même classe, ce qui se traduit par une réduction des pertes de conduction et de commutation pour économiser de l'énergie et augmenter l'efficacité. Cela permet au dispositif de répondre aux exigences spécifiques d'efficacité du titane dans les alimentations pour serveurs ou d'atteindre une efficacité maximale de 96 % dans les alimentations pour télécommunications.

Pour améliorer les performances de commutation dans les topologies à commutation dure telles que les conceptions PFC, demi-pont et à deux commutateurs directs, le MOSFET publié aujourd'hui fournit de faibles capacités de sortie effectives typiques C o(er) et C o(tr) de 115 pF et 772 pF, respectivement. Les temps de résistance C o(er) FOM résultants de l'appareil sont les plus bas de l'industrie, à 5,87 Ω*pF. Proposé dans le boîtier TO-220AB et offrant une robustesse dv/dt accrue, le SiHP054N65E est conforme à la directive RoHS, sans halogène et Vishay Green, et il est conçu pour résister aux transitoires de surtension en mode avalanche avec des limites garanties grâce à des tests 100 % UIS.

Des échantillons et des quantités de production du SiHP054N65E sont disponibles dès maintenant. Pour obtenir des informations sur les délais de livraison, veuillez contacter votre bureau de vente local.

Vishay fabrique l'un des plus grands portefeuilles au monde de semi-conducteurs discrets et de composants électroniques passifs essentiels aux conceptions innovantes sur les marchés de l'automobile, de l'industrie, de l'informatique, des biens de consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Au service de clients du monde entier, Vishay estL'ADN de la technologie. ® Vishay Intertechnology, Inc. est une société Fortune 1 000 cotée au NYSE (VSH). Plus d'informations sur Vishay sur www.Vishay.com.

L'ADN de la technologie® est une marque déposée de Vishay Intertechnology.

Vishay sur Facebook :http://www.facebook.com/VishayIntertechnologyFil Twitter de Vishay :http://twitter.com/vishayindust

Liens vers la fiche produit :http://www.vishay.com/ppg?92490 (SiHP054N65E)

Lien vers la photo du produit :https://www.flickr.com/photos/vishay/albums/72177720310720254

Pour plus d'information veuillez contacter:Vishay Intertechnology Peter Henrici, +1 408 567-8400 [email protected] ou Redpines Bob Decker, +1 415 409-0233 [email protected]